内存作为一个电脑中或不可缺的存在，想必大家对于这么一个存在都已经习以为常了。而且随着目前游戏大作的频出不断，我们对于游戏内存的要求也是水涨船高，高频率，高容量又或者是RGB灯效等等，都成了我们挑选内存的首要条件。
不知道你有没有注意过，内存的其中一面会有一个贴纸，上面除了容量，除了频率之外还有很多别的数据，那么，今天就为大家详细解答有关内存的小常识。
在内存上，除了内存容量以及内存频率，如上图所示，这一条光威 TYPE-A内存条的容量为8GB，频率为2400MHz，默认工作电压是1.2V，还有一行小标注：CL 17-17-17-39。这是什么意思呢？
在CPU-Z里面，我们也能清晰得获得该参数的详细资料。其对应的项目名称为：CL/tRCD/tRP/tRAS共4大类，并且标注单位为“时钟”。其实这是内存读写操作前列地址控制器的潜伏时间（CL），行寻址至列寻址延迟时间（tRCD），内存行地址控制器预充电时间（tRP）以及内存行有效至预充电的最短周期（tRAS）。其实他们所列举的都是内存在运作过程中的一些延迟参数（单位ns纳秒）。我们所要知道的就是，在相同类型，相同容量，相同频率的情况下，这些参数的数值越低，代表着内存的性能更强。因为他们在每一次运作之间的所需时间更短。
但是，我们并不能只看内存时序值，因为当频率不断爬升，内存的时序值是会相应的延长的。DDR4时序要比DDR3高，DDR3时序比DDR2高。在保证稳定性的前提下，内存在频率提升的同时也需要相应拉高时序。
在购买内存的时候，我们总说DDR4，DDR3。那么又有多少人真正知道DDR的意思，又有多少人直接将DDR等同于内存呢？
其实，内存的本名为RAM: Random Access Memory，随机存储器。我们所熟知的DDR内存条，是SDRAM:Synchronous Dynamic Random Access Memory，同步动态随机存储器的升级产物：DDR SDRAM。之所以称之为DDR，是因为它采用了双倍速率同步动态机制。由于DDR内存是在SDRAM基础上发展而来的，仍然沿用SDRAM生产体系，因此习惯性就省略了SDRAM，直接称呼为DDR内存条。
因此，DDR内存实际上应该算作第二代SDRAM产物。而DDR4内存条应该算作第五代产物。与传统的单数据速率相比，DDR技术实现了一个时钟周期内进行两次读/写操作，即在时钟的上升沿和下降沿分别执行一次读/写操作。所以我们在CPU-Z上经常看到内存频率仅为标称数值的一半，也是因为它仅标注单倍速率的缘故。
特别是在运行一些大型软件或者是游戏的时候，内存的温度也会身高，内存本身也可以进行物理散热，比如光威 TYPE-A内存条在颗粒表面粘合了一套散热马甲，通过增大散热面积，就可以达到对颗粒的快速降温。那么内存在工作的时候到底多少度以内才不会影响性能以及稳定性呢？
通过使用AIDA64软件对光威TYPE-A内存条进行拷机。此过程中将内存所有容量满足。稳定运行30分钟。
30分钟后，我们采用红外测温文明用语指向内存颗粒表面的散热马甲处，在室温约为26摄氏度的情况下，测得温度为40.5摄氏度。内存依然稳定运行。
对于内存而言，在出厂的时候都会通过一系列稳定性测试来确保内存的工况阈值。在恒温箱中，将会被设定55摄氏度正负10摄氏度的环境条件来考验内存能否在标称频率下长期运行。因此，当内存温度为40摄氏度的时候，大可不必担心内存的稳定性。